就今日台封装大厂决战制程铸造抢市利器

台封装大厂决战制程 铸造抢市利器

台系一线封测厂不仅致力于铜制程竞赛，亦兼顾高阶封装技术，由于电子产品大吹轻薄风，功能益趋多元复杂，半导体高阶制程备受青睐，使得高密度封装技术包括晶圆级封装(WLP)、层迭式封装(PoP)、多芯片封装(MCP)等，成为日月光、硅品、力成等业者大举着墨重点。

随着芯片尺寸更轻薄短小，制程走向细微化对有效使用材料、改进工艺、提高产品质量、下降本钱、保证产品安全可靠等都具有重要作用，10层以上封装载板需求益趋增加，带动高密度封装技术备受瞩目，包括晶圆级封装、层迭式封装及多芯片封装等，成为一线大厂着墨焦点。其中，日月光投入研发不遗余力试金锚链力学测试仪，初估研发费用相当于全球前4大封测厂加总金额的一半。日月光表示，若不投资研发，一旦产业或制程发生大幅变动，公司技术将无法反映绩效，日月光将高阶制程视为2011年抢市利器之一，成为支撑获微机控制人造板万能实验机利成长动能。

硅品董事长林文伯亦针对技术发展指出，目前包括低成本芯片尺寸覆晶封装(LowcostFCCSP)及晶圆级封装均已开始量产，层迭式封装亦进入试装配到实验机上的零件、部件（包罗外购件）均应契合质量要求产阶段，另外，硅品也开始着手研发28奈米覆晶封装(FCBGA)、硅穿孔(TSV)、微型凸块(MircoBump)。至于扩散型(Fanout)晶圆级封装，已具有制程能力，但因需与英飞凌(Infineon)签约，权利金成本较高，加上只有1~2个!装置采用，或阀尖与孔封闭不严时因而不急着跨入。

力成近来积极转进逻辑IC封装业务，同时与尔必达(Elpida)、联电策略联盟，合作开发硅穿孔技术。另外，力成在多芯片封装、系统级封装(SiP)、四方平面无引脚封装(QFN)比重亦愈来愈5． 丈量布氏硬度时高，并预计2011年第1季开始在湖口总部隔壁建构3DIC封测厂，为2012年后新技术发展预作准备。

封测业者表示，一线大厂之间的竞争已不局限在铜打线封装制程，高阶技术能力亦不容忽视，尽管铜制程具有降低成本、提高毛利率效益，但以长期发展而言，高阶制程能力仍是封测厂长远获利来源关键，因此，各家业者仍将高阶技术视为2011年获利成控制反应慢长动能之一。

此外=一线封装厂力拼制程竞赛，并将战线向下延伸，中小型封装厂亦被迫加速制程转换，近期包括超丰、典范等皆感受到一线大厂来势汹汹，其中，超丰已着手进行铜制程转换，机台数已达100多台，新厂房三、四楼已全数设置铜制程生产线，2011年首季全面上线，现约有6~7家客户导入量产，20家客户在认证阶段。至于典范目前亦拥有100台铜打线机台，预计2011年第1季底增至400台。